在移動(dòng)設(shè)備AI性能提升的賽道上，SK海力士正以創(chuàng)新技術(shù)掀起新一輪變革。據(jù)可靠消息，這家存儲(chǔ)巨頭正在研發(fā)一項(xiàng)名為高帶寬存儲(chǔ)（HBS）的前沿技術(shù)，通過(guò)將移動(dòng)DRAM與NAND閃存深度融合，為智能手機(jī)和平板電腦等終端設(shè)備注入更強(qiáng)勁的AI算力。

技術(shù)突破的核心在于垂直扇出（VFO）工藝的突破性應(yīng)用。該工藝通過(guò)三維堆疊技術(shù)，最多可將16層DRAM與NAND閃存垂直整合，構(gòu)建出立體化的存儲(chǔ)架構(gòu)。這種設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)訪問(wèn)的高帶寬與低延遲，更在物理層面重構(gòu)了存儲(chǔ)單元的連接方式。

與傳統(tǒng)HBM采用的硅通孔（TSV）技術(shù)相比，VFO工藝展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。由于無(wú)需在晶圓上鉆孔，其制造成本大幅降低，同時(shí)產(chǎn)品良率得到顯著提升。更短的布線距離使得I/O密度實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，為移動(dòng)設(shè)備的小型化與高性能化提供了技術(shù)支撐。

在封裝形式上，HBS技術(shù)展現(xiàn)出獨(dú)特的靈活性。存儲(chǔ)模塊可直接與手機(jī)芯片組進(jìn)行協(xié)同封裝，形成高度集成的系統(tǒng)級(jí)方案。這種設(shè)計(jì)不僅簡(jiǎn)化了主板布局，更通過(guò)縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑，為實(shí)時(shí)圖像識(shí)別、語(yǔ)音交互以及大模型推理等AI應(yīng)用提供了硬件層面的優(yōu)化。

值得關(guān)注的是，HBS技術(shù)正展現(xiàn)出替代現(xiàn)有eMMC/UFS存儲(chǔ)方案的潛力。其通過(guò)突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)的"存儲(chǔ)墻"限制，有望成為下一代智能終端的核心競(jìng)爭(zhēng)力。在AI計(jì)算需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的背景下，這項(xiàng)技術(shù)或?qū)⒅匦露x移動(dòng)設(shè)備的性能邊界。