三星電子近日在其華城園區引入了一項重大技術升級，據韓媒FNnews報道，該公司引進了ASML制造的High NA極紫外光刻（EUV）設備，旨在增強2納米及以下先進制程技術的競爭力。

ASML所生產的High NA EUV設備，型號為“EXE:5000”，是目前全球唯一能供應此類高端設備的廠商。其價格昂貴，每臺高達5000億韓元（約等于24.88億元人民幣）。該設備通過提升透鏡和反射鏡的尺寸，成功將數值孔徑（NA）從0.33提高至0.55，極大程度上增強了光刻的精確度，成為了制造2納米及以下芯片不可或缺的關鍵工具。

與現有的EUV設備相比，High NA EUV設備能夠實現更精細的電路線寬，從而有效降低功耗，并提升數據處理速度。自去年起，三星電子已經開始評估該設備在工藝上的應用，并計劃將其應用于下一代半導體制造中。

在完成設備安裝后，三星電子計劃全面構建一個完善的2納米工藝生態系統。據三星晶圓代工業務部負責人韓鎮萬表示，盡管公司在環繞柵極（GAA）工藝轉換上處于領先地位，但在商業化進程上仍需加速，因此，2納米工藝的快速量產成為了公司的首要目標。

全球半導體行業的巨頭們都在加速引入High-NA EUV設備。其中，英特爾在2023年便率先采購了ASML的首臺High-NA EUV設備，并已簽訂合同購買總計6臺。據報道，英特爾的前兩臺High-NA EUV設備已經投入生產，每季度能夠處理3萬片晶圓。

據BITS&CHIPS報道，英特爾預計將成為首批獲得EXE:5200設備的公司，用于其14A節點的生產。而臺積電則計劃在2028年啟動High-NA EUV設備的量產。