近日，韓國(guó)媒體《ChosunBiz》披露了一則關(guān)于三星電子在先進(jìn)制程技術(shù)上的新進(jìn)展。報(bào)道指出，在4nm制程的HBM4內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中，三星電子取得了40%的良率，這一成績(jī)不僅遠(yuǎn)超通常10%的起點(diǎn)水平，也大幅優(yōu)于先前同制程產(chǎn)品的不足20%表現(xiàn)。

雖然40%的良率僅代表初步階段的成果，但這一數(shù)據(jù)無疑為三星電子在4nm HBM4邏輯芯片的進(jìn)一步開發(fā)奠定了較為堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著芯片制造技術(shù)的不斷成熟，業(yè)界普遍預(yù)期這一良率將會(huì)持續(xù)上升。

回顧歷史，三星電子在HBM3時(shí)期曾遭遇重大挫折，不僅失去了70%的HBM內(nèi)存市場(chǎng)份額，還首次讓出了第一大DRAM原廠的寶座，這一變化讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士獲益匪淺。為了扭轉(zhuǎn)局勢(shì)，三星電子在HBM4的研發(fā)上采取了更為激進(jìn)的技術(shù)策略。

據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在12Hi HBM4中引入1c nm DRAM內(nèi)存芯片和4nm邏輯芯片。盡管邏輯芯片端的初步測(cè)試結(jié)果較為樂觀，但在1c nm DRAM方面，三星電子卻面臨著一些挑戰(zhàn)。另一家韓國(guó)媒體《DealSite》近日?qǐng)?bào)道稱，自1z nm時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題，正在對(duì)三星1c nm DRAM的開發(fā)量產(chǎn)造成顯著影響。

為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，三星電子正試圖通過放寬線寬等方式來改進(jìn)電容器的性能表現(xiàn)。然而，盡管三星進(jìn)行了諸多嘗試，但電容器的穩(wěn)定性仍未達(dá)到預(yù)期水平，這很可能導(dǎo)致1c nm的研發(fā)進(jìn)度受到拖累。三星電子能否在HBM4上實(shí)現(xiàn)全面突破，目前仍是一個(gè)未知數(shù)。