近期，三星電子在一場業(yè)績發(fā)布會上揭曉了其內存技術的最新進展。據(jù)悉，該公司已成功向主要客戶交付了第五代高帶寬內存HBM3E的改進版本樣品，并預計從第二季度開始，將逐步擴大該產品的銷售規(guī)模。
盡管一季度因尖端半導體出口管制的影響，HBM的銷售額觸及了低谷，但三星電子對未來充滿信心。公司存儲業(yè)務部的副社長透露，隨著新產品的放量上市，預計季度業(yè)績將呈現(xiàn)階梯式的復蘇態(tài)勢。
同時，三星電子還透露了下半年的重要計劃。公司將全力推進第六代產品HBM4的量產工作，并預計在2025年實現(xiàn)規(guī)模化銷售。針對市場高度關注的定制化HBM，三星正積極與多家客戶基于HBM4及第七代HBM4E平臺展開合作洽談，部分定制項目有望在2026年與標準版HBM4同步上市。
從財報數(shù)據(jù)來看，三星一季度存儲業(yè)務營收達到了19.1萬億韓元，環(huán)比下降了17%，但同比卻增長了9%。盡管HBM銷售下滑對業(yè)績造成了一定拖累，但服務器用DRAM需求的增長以及NAND采購的回暖為業(yè)績帶來了亮點。展望二季度，公司預計DRAM產品價格將迎來復蘇，移動端和PC領域的位元增長率有望突破10%，NAND價格的跌幅也將逐漸收窄。
在代工業(yè)務方面，三星也坦誠地分享了面臨的挑戰(zhàn)。受手機、PC市場持續(xù)疲軟的影響，一季度產能利用率下降導致虧損擴大。然而，通過聚焦2納米、4納米高性能計算（HPC）及AI芯片訂單，先進制程（5納米及以下）的訂單量實現(xiàn)了環(huán)比增長。技術部門進一步透露，2納米第一代工藝已完成可靠性評估，計劃二季度啟動量產，并加速推進2納米第二代及3納米工藝的優(yōu)化工作。
