在半導體行業的盛會SEMICON China 2025上，中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）隆重揭曉了其自主研發的12英寸晶圓邊緣刻蝕設備——Primo Halona。這款設備的推出，標志著中微公司在高端半導體設備領域邁出了堅實的一步。

Primo Halona以其獨特的雙反應臺設計成為全場焦點。據中微公司介紹，該設備能夠靈活配置多達三個雙反應臺的反應腔，每個反應腔均能同時處理兩片晶圓。這一設計在降低生產成本的同時，有效滿足了晶圓邊緣刻蝕的量產需求，大幅提升了生產效率。

Primo Halona在設備穩定性與耐久性方面也表現出色。其腔體內部采用了抗腐蝕材料設計，能夠抵御鹵素氣體的侵蝕。同時，設備腔體均配備了精準的Quadra-arm機械臂，確保了晶圓處理的靈活性和準確性。

Primo Halona還配備了獨特的自對準安裝設計方案。這一方案不僅提高了上下極板的對中精度和平行度，還有效減少了因校準安裝帶來的停機維護時間，從而幫助客戶優化產能，實現精益生產。

在智能化方面，Primo Halona同樣表現出色。該設備提供了可選裝的集成量測模塊，客戶可以通過該模塊實現本地實時膜厚量測，一鍵式完成晶圓傳送的補償校準。這一功能不僅提升了產品的維護性，還大大提高了后期維護效率。

除了Primo Halona之外，中微公司在ICP雙反應臺刻蝕機方面也取得了新的突破。通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度，中微公司的Primo Twin-Star刻蝕機已經實現了0.2A（亞埃級）的刻蝕精度。這一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上均得到了驗證。

據了解，0.2A的刻蝕精度相當于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發絲平均直徑100微米的500萬分之一。這一突破不僅展示了中微公司在半導體刻蝕技術方面的領先地位，也為未來半導體工藝的發展奠定了堅實基礎。