美光科技近日宣布了一項重大突破，其基于尖端1γ納米工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片已成功投產(chǎn)。這一創(chuàng)新不僅在性能、能效以及密度方面實現(xiàn)了顯著提升，更標(biāo)志著美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一里程碑。

值得注意的是，DRAM內(nèi)存行業(yè)的工藝節(jié)點標(biāo)注方式一直較為特殊，并非直接采用具體的數(shù)值，而是通過1a、1b、1c、1α、1β、1γ等迭代順序來表示技術(shù)的不斷進(jìn)步。據(jù)悉，1a工藝接近20納米級別，而最新的1γ工藝則已逼近10納米大關(guān)。

尤為引人注目的是，美光此次在1γ DDR5內(nèi)存芯片的生產(chǎn)中首次采用了EUV極紫外光刻工藝。盡管三星和SK海力士已在此前引入了該技術(shù)，但美光同時引入了下一代HKMG金屬柵極技術(shù)，并預(yù)計采用全新的BEOL后端工序，這無疑將進(jìn)一步提升其產(chǎn)品的競爭力。

盡管美光并未透露具體使用了多少層EUV光刻，但業(yè)界推測，目前可能僅在關(guān)鍵層上應(yīng)用了EUV技術(shù)，以避免多重曝光帶來的時間和成本增加。

在容量方面，美光的1γ DDR5內(nèi)存芯片單顆容量高達(dá)16Gb（即2GB），能夠輕松構(gòu)建出單條容量達(dá)128GB的企業(yè)級產(chǎn)品。與上一代1β工藝相比，其容量密度再次提升了30%，這一提升幅度與以往每代工藝升級時的表現(xiàn)相符。

在能效方面，1γ DDR5內(nèi)存芯片僅需1.1V的標(biāo)準(zhǔn)電壓，即可達(dá)到9200MHz（或稱為9200MT/s）的超高頻率。而市面上常見的高頻內(nèi)存往往需要1.35V甚至1.45V的高電壓。更低的電壓不僅提升了使用的安全性，還有效降低了功耗，與1β工藝相比，最多可降低20%。

目前，美光的1γ DDR5內(nèi)存芯片僅在日本工廠進(jìn)行生產(chǎn)，但公司計劃逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將于今年年中左右上市。美光還透露，未來其在中國臺灣的工廠也將引入EUV技術(shù)，并采用1γ工藝制造GDDR7顯存以及LPDDR 5X高頻內(nèi)存（最高頻率可達(dá)9600MHz）。